안녕하세요 인생리뷰입니다.
오늘은 반도체 8대 공정 중 여섯 번째, 금속 배선 공정에 대해서 알아보죠.
반도체는 전기적인 신호를 통해서 동작하는데, 이때 필요한 공정입니다.
바로 보시죠!
(↓↓↓ 반도체 8대 공정_5 : 박막 공정에 대한 내용도 확인해보세요!)
[반도체 면접 준비] 1-5. 반도체 8대 공정 (5) 박막 공정 (Thinfilm) _ 현직자가 알려주는 삼성전자,SK하
안녕하세요 인생리뷰입니다. 오늘은 반도체 8대 공정 중 다섯 번째, 박막 공정(Thinfilm)에 대해서 알아보죠. 이전 산화 공정에서 DEP 장비를 통해 SiO2를 Dep 해준다 라고 한 적이 있는데요. 이 Depositio
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[반도체 8대 공정]
Wafer - 산화 공정 - 포토공정 - 식각 공정(Etch) - 박막 공정 (Thinfilm _ PVD/CVD) - 금속 배선 공정 (MLM) - EDS (Electrical Die Sorting) - 패키징
오늘은 여섯 번째, 금속 배선 공정에 대해서 알려드릴게요!
6. 금속 배선 공정 (Metalization)
우선, 금속 배선 공정은 Metal Layer들을 이용하여 원하는 신호가 각각의 소자에 제대로 전달될 수 있도록 배선해주는 공정입니다. 주로 앞에서 설명했던 박막 공정을 이용하여 금속을 증착시켜서 이용합니다.
예를 들어, 총 96단의 NAND가 있으면, 각각의 층마다 Cell들이 있는데, 76층의 Cell에 프로그램을 통해서 정보를 저장하고 싶다면, 77층도 아니고 75층도 아닌 76층에 정확히 프로그램 신호가 들어가야 하는 거죠. 흔히, 96단 NAND를 96층의 아파트 건물이라고 생각했을 때, 엘리베이터를 통해서 76층에 정확히 내리게 해주는 것과 같다고 보시면 됩니다.
이 외에도 주변 Peri 부 나 Data In/Out을 담당하는 PAD까지의 신호 연결 등 금속 배선을 통해서 반도체 Chip의 동작을 설계한 대로 동작하게 한다고 생각하면 됩니다.
이 금속 배선 공정도 아무 물질이나 이용하면 안 되겠죠? 우수한 전기전도성과 함께 공정하기 용이하며 양산성이 우수한 소재여야 합니다.
쉽게 말해서, 1. 전기가 잘 통함, 2. 원하는 대로 만들기 쉬움, 3. 가성비가 우수함 이 세 가지 조건이 충족되어야 합니다.
(면접 꿀 tip)
최근에는 소비자들이 더 작고 빠른 전자제품을 원합니다. 그렇기 때문에 전기 전도성이 아주 우수한 물질을 써야겠죠? 기존에 사용되던 Al(알루미늄)의 경우에는 Cu(구리)에 비해 공정이 쉬워 금속 배선 물질로 주로 사용되었지만, Cu에 비해 전도성이 떨어져, High Speed를 요구하는 요즘에는 Cu의 중요성이 높아지고 있습니다.
반응성이 높은 물질의 경우, 다른 물질과 접촉을 하게 되는 경우 접촉면에서 접촉 물질과 화학반응을 일으킬 가능성이 높습니다. 따라서 금속 배선 공정에 쓰이는 Metal의 경우 비교적 반응성이 작은 물질을 Barrier Metal로 사용합니다. 대표적으로 W의 경우 TiN을 Barrier Metal로 이용합니다.
오늘은 반도체 8대 공정 중 여섯 번째, 금속 배선 공정에 대한 정보를 들고 왔습니다.
많은 취준생 여러분들께 도움이 되었으면 좋겠네요 ㅎㅎ
그럼 다음 시간에는 EDS에 대해서 들고 오겠습니다!
