안녕하세요 인생리뷰입니다.
오늘은 반도체 8대 공정 중 세 번째, 포토 공정에 대해 알아볼게요
반도체의 최소 선폭인 CD에 큰 영향을 미치는 포토 공정
바로 보시죠
(↓↓↓ 반도체 8대 공정_2 : 산화 공정에 대한 내용도 확인 해보세요!)
[반도체 면접 준비] 1-2. 반도체 8대 공정 (2) 산화 공정 _ 현직자가 알려주는 삼성전자,SK하이닉스
안녕하세요 인생리뷰입니다. 오늘은 8대 공정의 두 번째, 산화 공정에 대한 글을 준비했습니다! Wafer 공정에 이어서 어떤 중요한 요소들이 있는지 바로 보시죠! (↓↓↓ 반도체 8대 공정_1 : Wafer
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[반도체 8대 공정]
Wafer - 산화 공정 - 포토공정 - 식각 공정(Etch) - 박막 공정 (Thinfilm _ PVD/CVD) - 금속 배선 공정 (MLM) - EDS (Electrical Die Sorting) - 패키징
오늘은 세 번째, 포토 공정 (Photolithography)에 대해서 알려드릴게요!
3.포토 공정 (Photolithography)
우선, 포토 공정은 Wafer 위에 원하는 모양을 그려넣기 위해 진행됩니다. 즉, 원하는 회로의 패턴을 그려주려면 photo 공정이 필요하고, 패턴을 그려줄 때, 얼만큼 작게 그릴 수 있냐가 중요하기 때문에 EUV라는 새로운 광원이 화두가 되는거죠!
Photo(빛) + Lithography (석판 인쇄 = 돌에 조각으로 세기기)
photo 공정으로 불리는 Photolithography는 빛을 이용해서 Wafer라는 판에 그림을 세기기 때문에 붙여진 이름입니다. 이 때, 빛을 어떤 광원을 사용하고 어떤 방법을 사용하는가에 따라서 최소 선폭이 결정되는 아주 중요한 공정이죠. 흔히 "5nm 급의 CPU를 개발했다더라, 인텔은 5nm 공정 개발의 차질로 위기다." 할 때 나오는 5nm가 최소 선폭이고 이걸 줄여야 같은 면적에 더 많은 소자를 담을 수 있고, 반대로 같은 수의 소자를 담더라도 Size의 축소를 가져오기 때문에 기를 쓰고 Photo 공정을 개발하는 겁니다.
[포토 공정의 순서]
1. PR(photoresist) 도포 : Wafer를 CLN 하고, 위에 Photoresist를 도포 (이 때, Wafer를 회전하면서 PR을 도포하는 Spin Coating 방식을 이용)
2. 노광(Exposure) : PR (PhotoResist)을 Bake 후, 패턴이 그려진 Mask를 광원과 Wafer 사이에 두고 노광 (빛을 쪼여줌)
3. 현상 (Devolop) : 노광된 PR에 현상액을 접촉시켜 패턴을 만듬 (노광된 부분과 안된 부분의 물성 차이를 이용)
포토 공정은 크게보면 위의 3가지 순서로 진행됩니다. 이 때, 가장 중요한 것은 노광 장비죠! (다른 물질도 중요함) 노광 장비의 대표적인 회사가 ASML이고, 노광 장비의 파장이 CD에 큰 영향을 끼칩니다. (파장이 짧을 수록 CD를 작게 만들 수 있죠) 파장이 13.5nm인 EUV를 이용해서 photo공정을 진행하려고 많은 파운더리 업체들이 공정 set-up에 노력을 기울이고 있습니다.
(EUV관련 면접 준비 꿀tip)
EUV 장비를 도입하는 가장 큰 이유는 짧은 파장에서 오는 CD 감소에 있습니다. 그렇다면 몇 년이 지난까지도 EUV가 안정적으로 set-up이 되지 못한 이유가 무엇일까요?? 바로 공정 방식의 차이에 있습니다. 기존 ArF + Immersion 장비는 렌즈를 이용한 굴절 방식이었는데, EUV같은 경우 파장이 너무 짧아 렌즈를 이용한 공정방식을 사용하지 못하고 거울을 이용한 반사를 활용해야 하기 때문인데요. 이 같은 기존과 다른 공정 방식에 의해 set-up이 늦어지고 Delay가 생긴 것이죠.
오늘은 반도체 8대 공정, 세 번째 Photo공정에 대해서 알아봤습니다.
많은 분들의 면접 준비에 도움이 되길 바랍니다.
그럼 다음 시간에는 NAND에서 가장 중요한 공정이죠!
Etch 공정에 대한 글로 찾아오겠습니다!
