안녕하세요 인생리뷰입니다.
오늘은 반도체 PT면접 기출에 대해서 알아보죠.
반도체 PT면접에 자주 나오는 3가지 질문 중 3번에 대한 답변을 살펴보겠습니다.
DRAM의 Capacitance를 늘려야 하는 이유 및 방법은 무엇일까요?
바로 보시죠!
(↓↓↓ DRAM과 SRAM의 차이 및 용도)
[반도체 면접 준비] 2-2. 반도체 PT면접 기출 및 모범 답안 _ 현직자가 알려주는 삼성전자,SK하이닉
안녕하세요 인생리뷰입니다. 오늘은 반도체 PT면접 기출에 대해서 알아보죠. 반도체 PT면접에 자주 나오는 3가지 질문 중 2번에 대한 답변을 살펴보겠습니다. DRAM과 SRAM의 차이는 무엇일까요? 바
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[반도체 PT면접 기출문제]
1. 최근 Metal Line 배선을 Al 대신 Cu를 쓰는 이유
2. DRAM과 SRAM의 차이
3. DRAM의 Capacitance를 늘려야 하는 이유와 방법
Q. DRAM의 Capacitance를 늘려야 하는 이유와 방법
A. DRAM의 경우, Capacitor가 방전되기 때문에 특정 전하량 이하로 내려가면 Refresh를 해줘야 합니다. 그렇기 때문에 1,0의 기준이 되는 Capacitance를 늘려두면, 그만큼 Refresh의 주기가 줄어듭니다. 따라서 Refresh 동작 때 들어가는 전력 소모를 줄일 수 있게 되는 거죠.
DRAM의 경우 앞서 설명드린 바와 같이 1개의 Transistor와 1개의 Capacitor로 하나의 Memory Cell이 (1,0의 data를 하나 저장할 수 있는 공간) 구성됩니다. 이 Capacitor에 저장된 전하량으로 1,0의 data를 구분하죠. Capacitor에 전하를 저장해서 1의 data를 저장했는데, 읽을 때 전하가 방전이 되어서 0으로 인식을 하면 불량입니다. (예를 들어 컴퓨터에 게임을 저장하라고 시켰는데, 몇 분 뒤 다시 보니 없어진 경우인 거죠 (물론 이런 메모리는 NAND지만)) 그렇기 때문에 저장한 정보를 유지하기 위해 Refresh를 해줘야 하고, 그때 당연하게도 회로가 일을 할 것이므로 전력 소모가 일어나게 됩니다. 이 전력 소모를 줄여야 소비자의 요구를 충족할 수 있게 되므로 Capacitance를 늘려야 하는 거죠 (완충한 스마트폰이 메모리의 전력 소모가 너무 커서 30분 만에 꺼지면 아무도 안 사겠죠?) 그렇다면 이 Capacitacne는 어떻게 늘릴 수 있을까요?
위 식을 분석하면 어떻게 Capacitance를 늘릴 수 있는지 해답이 나옵니다. 바로 유전율과 면적을 높이고, 두께를 줄이면 됩니다. Capacitor의 경우, 두 개의 도체 사이에 유전물질이 존재합니다. 이 유전물질과 도체가 맞닿은 곳의 면적(A)은 늘리고, 유전물질의 두께(d)를 줄이면 구조적으로 Capacitance를 늘릴 수 있습니다. 두께의 경우에는 줄이는데 물리적인 한계가 있기 때문에 주로 면적을 늘려주는 방식을 씁니다. 그래서 원통형의 긴 Capacitor가 등장하게 되죠.
다음으로, 다른 물성의 유전물질을 사용하여 Cap을 늘리는 경우입니다. 물질마다 고유한 유전율을 지니게 되는데, 이 유전율 자체가 높은 물질을 사용하면 Capacitance도 자연스레 올라가죠. High-k 물질이라고 해서 유전율이 높은 물질을 이용해서 메모리를 만들고자 하는데, 요즘은 Zr(지르코늄) 화합물이 주로 사용된다고 하네요.
오늘은 반도체 PT면접 기출문제 3번
DRAM의 Capacitance를 늘려야 하는 이유와 그 방법에 대한 글이었습니다.
많은 반도체 회사 취준생분들께 큰 도움이 되었으면 좋겠네요
그럼 다음에는 다른 문제의 반도체 회사 면접 기출 풀이로 돌아오겠습니다.
