안녕하세요 인생리뷰입니다.
오늘은 반도체 PT면접 기출에 대해서 알아보죠.
반도체 PT면접에 자주 나오는 3가지 질문에 대한 답변을 살펴보겠습니다.
바로 보시죠!
(↓↓↓ 반도체 기초지식 : 8대 공정에 대한 내용도 확인해보세요!)
[반도체 면접 준비] 1-8. 반도체 8대 공정 (8) 패키징 _ 현직자가 알려주는 삼성전자,SK하이닉스 면
안녕하세요 인생리뷰입니다. 오늘은 반도체 8대 공정 중 마지막 여덟 번째, 패키징에 대해서 알아보죠. 반도체 Chip을 Wafer위에 만든 후, 실제 소비자들이 쓰는 컴퓨터나 스마트 폰에 부품으로
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[반도체 PT면접 기출문제]
1. 최근 Metal Line 배선을 Al 대신 Cu를 쓰는 이유
2. DRAM과 SRAM의 차이
3. DRAM의 Capacitance를 늘려야 하는 이유와 방법
Q. 최근 Metal Line에 Al 대신 Cu를 쓰는 이유
A. 미세화 과정에서 Line 이 얇아지면서 저항이 늘어나고, Al로는 소비자가 원하는 Performance (여기서는 속도)를 맞출 수 없게 되어 비저항이 낮은 Cu를 쓰게 됩니다.
이전 8대 공정 중 금속 배선 공정에서 위 내용을 한 번 언급한 적이 있죠. 현재 얇은 금속 배선을 하는 Layer의 경우는 Cu를 금속 물질로 사용하게 됩니다. 이유는 위에서 언급한 내용 때문이고, 그렇다면 여기서 궁금증은 "왜 이전에는 Cu를 쓰지 않았는가?" 겠죠?
이전에 Cu대신 Al이라는 물질을 쓴 이유는 크게 2가지로 볼 수 있습니다.
- 가격이 싸다
- 공정이 쉽다
위의 두 가지 이유가 정말 간단해 보이지만, 양산성을 중요시하는 제조업의 특성상 아주 중요한 포인트죠. 그렇기 때문에 이전에는 Al을 이용했지만 현재는 미세화 패턴에서 저항이 높아져 High Speed를 위해 Cu를 사용하게 됩니다.
Al의 장점
- 가격이 싸다
- 박막 증착이 쉽고, Etch 공정이 Cu에 비해 비교적 쉬움
- 박막 상태에서도 벌크 상태와 비슷한 높은 전기전도도를 갖는다.
Al의 단점
- Junction Spiking 형성
- Electromigration
- 부식이 잘된다
- 녹는점이 낮다
Cu의 장점
- Al보다 낮은 저항과 Diffusivity
- 높은 녹는점 (후속 Thermal 공정에 유리)
Cu의 단점
- Etch가 어려움 --> 다마신 공정으로 Layer형성
- 확산으로 SiO2를 지나감 (배선의 구분을 SiO2로 하는데 Cu의 이동이 생기면 원하는 대로 Layer형성 어려움)
* 다마신 공정 : Oxide를 쌓고 Oxide를 etch 하여, 금속이 들어갈 Layer를 만들고 거기에 금속을 채워 넣고 CMP로 평탄화 해주는 방식
오늘은 반도체 PT면접 기출문제 1번
Al 대신 Cu를 쓰는 이유에 대한 글이었습니다.
많은 반도체 회사 취준생분들께 큰 도움이 되었으면 좋겠네요
그럼 다음에는 DRAM과 SRAM의 차이로 돌아오겠습니다.
